开工做FC的烧录卡，希望前辈们给些资料。

pllyq52

买到了两张原装的游戏卡，一张是MMC3B的，一张是MMC1A的，还找出了一堆vcd的解码板，打算做两张烧录卡，希望得到各位前辈的支持。

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雷精灵2046

正版卡改烧录卡，首先要有烧录器。
3 ^7 |+ z. R3 Q; j3 @
7 M. c! j, W0 _! X9 J7 t& f1 b看到你的VCD解码板上有Winbond的W27C010，这是1Mbit的EPROM芯片，可以用来烧录，但需要专门的烧录器。如果你打算使用这些EPROM芯片的话，去X宝买个EPROM烧录器，价格约30~150左右。
不过最好的方案还是使用Flash芯片+Kazzo烧录器。拆机Flash芯片非常便宜，X宝一片约2元。Kazzo烧录器完全开源，可以自己制作，也可以X宝买现成的，价格约75元。自己做的话不到40元。

EPROM烧录需要在VPP引脚加+12V高电压才能烧录。所以如果使用了EPROM的话，想换游戏就得把芯片拆下来，放到烧录器上烧完再放到卡带上面去。你可以给卡带上装芯片插座，方便取下。
9 \% G+ [3 z3 p; D& m& s. i5 |Flash芯片烧录不需要高电压，给出往特定的地址写特定的命令就能烧录。所以无需拆芯片，可以直接把芯片焊死在卡带板子上。而Kazzo烧录器也正是为了实现方便烧录而开发出来的。

4 Z$ L3 F$ s' ]- ^我个人建议你选择使用Flash+Kazzo。

雷精灵2046

买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
) S2 T3 n* h. M; `' pKazzo对这个芯片的支持最好。
% P0 Q' h7 P! ?9 ]: H4 ?7 Z其他芯片虽然也不是不能用，但是你可能会面临所谓“A10/A14”高位地址的问题，导致那些芯片未必能够用在你的烧录卡上，徒增浪费。所以还是使用被广大群众证实过好用的芯片为上策。
X宝上这个拆机芯片价格约2元/片，全新芯片约7~15元。一般来说没必要买全新芯片，因为这种Flash芯片写入寿命非常长，最少也有上万次甚至上十万次的寿命。而拆机芯片基本上不可能把这些寿命都用尽。所以使用拆机芯片是比较经济且靠谱的。
9 }8 `' S3 V" K$ m, m! h% w; d; T
买来flash芯片和kazzo烧录器之后我再继续教你怎么改成烧录卡。


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% j7 k  u8 a/ ]/ v1 {4 X& ]

题外话：从对游戏的兼容性上来说，你这两盘卡带并不好。那个MMC1的卡带，板子上写着SGROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+8KByte的CHR RAM。没有WRAM，没有后备电池，很多mapper1的游戏都不能玩。MMC3的卡带，TLROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+128K/256KByte的CHR ROM。同样没有WRAM和后备电池，能玩大部分mapper4的游戏，但还有很多mapper4的游戏需要CHR RAM或WRAM的，也不能玩。
: S# P+ d# A& k; V9 U( S当然，只要你愿意，而且胆大心细手艺高，完全也可以把缺少的元件加上，再配合一些逻辑电路，甚至可以做出几乎全兼容那个mapper的卡带。我自己手里的几盘卡带几乎都是“全兼容”。

pllyq52

雷精灵2046 发表于 2018-12-13 10:13
买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
8 z6 W# k. G# Q( v: g$ jKazzo对这个芯片的 ...

! j3 @9 q/ V' t( |
) Z) e. s9 ]% ^9 k# V4 H. E4 s# K谢谢指点，在某宝上搜了一下“kazzo烧录器”，什么也没现，怎么没见有卖呢？所以就把MMC1卡的PRG拆了下来，发现情况比想象要糟糕，板上的A17地址线是接在Vcc上的，那芯片在编程器（普通编程器不是kazzo），发现上64K和下64K的数据果然是一样的，看来只能玩的游戏就更少了，如何补齐逻辑电路还得麻烦您指点一下。
2 q( Y9 ^2 g: X, B  E% \

雷精灵2046

原来你有基础，手艺也不错，那就太好了，省了我很多事。
: ~: [4 v4 p5 A+ d5 F" b
首先说一下关于kazzo烧录器。你可以在闲鱼上搜索“kazzo”，有一家保定的，75块钱。虽然是闲鱼，但实际上是店主自制的全新kazzo，非量产，并非二手货。可以放心购买。
) ]7 J7 S5 W. c$ v然后解释一下你遇到的现象。你那个MMC1的卡带上的PRG ROM芯片丝印是HFC-RT-0，板子是HVC-SGROM-02，查数据库可以断定这是《サラダの国のトマト姫》（沙拉国的土豆公主）。
注意，事实上这个游戏的PRG ROM是256K，而你只读了128K的内容，而且读出来的数据，前后64K都是相同的。造成这个问题的原因是，Mask ROM的引脚排列，并不遵守JEDEC标准。换句话说，这个Mask ROM并不能直接放到烧录器插座上读数据，而是需要飞线。
3 t5 A; K( f/ Q- Y# f5 D

1.     PRG Mask ROM                          EPROM
   
2.        ---_---                           ---_---
   # [: Z4 m6 r% C( z& Q; y/ B
3. A17 - |01   32| - +5V             VPP - |01   32| - +5V
   
4. /CE - |02   31| - +5V             A16 - |02   31| - PGM
   
5. A15 - |03   30| - +5V             A15 - |03   30| - NC
   
6. A12 - |04   29| - A14             A12 - |04   29| - A14
   
7. A7  - |05   28| - A13             A7  - |05   28| - A13
   
8. A6  - |06   27| - A8              A6  - |06   27| - A8
   + R6 c2 N: I( W  q& J8 u( F: l% j# n
9. A5  - |07   26| - A9              A5  - |07   26| - A9
   % U8 \5 p+ v- X1 ]. ?( m, s  `
10. A4  - |08   25| - A11             A4  - |08   25| - A11
    8 T. _& C; e: A8 U) q
11. A3  - |09   24| - A16             A3  - |09   24| - /OE
    : J2 K8 M) x+ O/ _6 S; a- e
12. A2  - |10   23| - A10             A2  - |10   23| - A10
    
13. A1  - |11   22| - /CE             A1  - |11   22| - /CE
    8 e1 }/ k  _" m: \
14. A0  - |12   21| - D7              A0  - |12   21| - D7
    
15. D0  - |13   20| - D6              D0  - |13   20| - D6
    ) w0 Z2 ^% Q7 w% S8 D
16. D1  - |14   19| - D5              D1  - |14   19| - D5
    
17. D2  - |15   18| - D4              D2  - |15   18| - D4
    
18. GND - |16   17| - D3              GND - |16   17| - D3
    
19.        -------                           -------

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这是32脚的PRG Mask ROM和32脚的EPROM引脚对比图。相比之下，Mask ROM没有/OE引脚，而多出一个A17引脚，所以32脚的PRG Mask ROM容量为256K，而EPROM只有128K。
这就解释了你读Mask ROM的结果。对于通用编程器来说，它不知道你插到锁紧座上的是Mask ROM，它只把这个芯片当成是符合JEDEC标准的EPROM来对待。于是在读的时候，编程器给1脚加了高电平，24脚低电平，30脚电平未知，暂且假设是高电平，31脚低电平。
) C2 o$ e, T; u5 J6 t6 V可见，Mask ROM的A16和A17都被定死了电平，所以你只能读出芯片容量（256K）的四分之一的数据，也就是64K。
4 R- `2 j  v4 U: B8 U% r3 s而当编程器把芯片当成EPROM读到高64K的时候，2脚高电平。但对于Mask ROM来说，2脚等效于22脚，而22脚是片选，始终是低电平。对于常见的单片机来说，低电平的灌电流能力比高电平的拉电流能力强，于是2脚被强制拉低，于是和读低64K的情况一样。所以读出的高64K和低64K数据相同。

雷精灵2046

如果你能理解上面我分析的原因，那么你就肯定知道该怎么办了。

( u, l2 `$ @: N. S' Y既然你有通用编程器，那么不买kazzo也无妨。就是换游戏的时候有点费劲，得在板子上装插座，方便拆芯片。此外，你还得飞线。
+ x% ~9 }- y! W1 Z& E7 r' q你得买256K的EPROM，在编程器上烧好ROM，然后把1、2、24、30、31脚掰起来，不能插到板子的插座里面，然后芯片的1脚接+5V，2脚接板子的24孔洞，24脚接地，30脚接板子的1孔洞，31脚接地。
$ v) U$ X/ |0 [/ D$ J8 ]8 _6 r这样引脚就对正了。卡带就能正常运行了。

0 G: I4 C: l8 m  p* o5 E7 J! a如果你买了kazzo，那么你就要买flash芯片。flash芯片可以在线编程，不需要拆下来。换游戏很方便。如果你愿意使用这种方法的话，那么我再教你如何给flash芯片飞线。

pllyq52

    谢谢指点，马上开工，首先当然是要找一片256K的EPROM，很遗憾，没找到，

' ^+ g4 T% ^* z& W, S128的倒有不少。还好在一块老电脑主板上找到一片AT49F002，百度一下，这应
) N8 k% Y% i+ [% z5 w
该是一片256K的fiash，看看引脚定义和EPROM的也是相差无几，姑且试试，往
* J1 G& {1 h* d; T6 T& R0 |
里面随便烧了一个mapper1的游戏，1脚复位（低电平有效）就接在Vcc吧（后来
( {6 k$ P  f6 Y) M+ G+ D+ t1 C
" f1 |3 e2 Q6 \- U) L0 d发现接在GND也是可以的），2脚A16接在24孔，24脚接在GND，30脚A17接在1孔
$ I3 x5 \! h; f" y: L/ m
+ T, U6 b2 q0 l/ _，31脚应该是写入允许（低电平有效）就接在Vcc吧。上机一试，成功了，哈哈

，好像烧进去的是一个日文的RPG的游戏。

( i0 Z% H6 j, [    小时候玩过《重装机兵》，感觉这种游戏很强大（因为游戏里面还有小游
2 E$ h. j. u4 n' C# o1 W  o
戏）没想到却只有256K，那个卡带里面是有电池的，但是现在电池应该装在那
2 e: t8 G: ~$ q; R  U: P- W
2 p  J. r: I3 l8 P呢？

* P9 o/ u% u$ D( A/ Y! y/ ~+ p' n
在试换个游戏，没想到，开机一看却只有一行日文，然后按手柄也没任何反应。怪，这日文是啥意思，谁看得懂？

雷精灵2046

这句话的意思就是后备存档芯片很奇怪。
3 N: V# m, O  N+ h9 V4 R! y很显然，你找了一个带存档功能的游戏烧进芯片里面了。但是板子上并没有WRAM和后备存档电池，所以游戏逻辑在检测存档的时候得到了错误的结果，于是显示出错误警告。
! N6 A# {8 x9 H4 O; u如果你想玩这个游戏，那么就需要给板子上增加WRAM和后备电池。

雷精灵2046

由于你的板子是HVC-SGROM，配置是128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM，那么加上WRAM之后就变成了128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM + 8K WRAM + 后备电池这样的配置，也就是HVC-SNROM。
- E4 \4 E* A5 c+ k0 O" f/ [那么改造方案就很明确了。

/ Z5 [2 |+ Q+ F3 O首先准备如下元件：
& {% Z5 |1 I1 o) O2 i  b8KByte的SRAM一片。推荐型号HM6264，或者KM6264，或者UMC6264，反正只要是6264就行。
普通开关二极管两个。推荐型号1N4148。
! m- u0 x9 j" n& ]0 k- ~$ r普通碳膜或金属膜电阻两个。阻值10K~100K均可。
( H5 b9 M0 g: ~9 A$ x* y/ b普通电解电容一个。容量1uF以上即可。耐压超过10V即可。
6 m6 Q+ v9 U  i3 X3V电池一个。建议使用2032+纽扣电池座，或者使用微型3.7V锂电池。

+ Z* ], o9 |2 e+ a4 n改造方法如下：
: R  J1 A9 ]6 J  a5 Z. m首先把SRAM的数据总线和地址总线，也就是D0~D7和A0~A12全部直接连接到PRG ROM的数据总线和地址总线上。一一对应。
SRAM的GND连接到PRG ROM的GND。
SRAM的/WE连接到MMC1芯片的17脚。
SRAM的/OE接GND。
SRAM的/CS1连接到MMC1芯片的11脚。
SRAM的CS2连接到MMC1芯片的6脚。
3 r. x" O8 N: H' g4 BSRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接板子上的VCC。
4 O6 v/ O$ e  I7 i4 n) e+ `同时，SRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接电阻，电阻接电池正极。
0 \0 n# A  q/ M1 d2 [2 v, ]电池负极接GND。
电解电容正负极跨接SRAM的VCC和GND。
最后一个电阻跨接SRAM的VCC和/CS1。

这是电路图：

1.                                           C            D1    R1
   , O0 C2 n, _) m) x+ l) p
2.               6264               GND ----||--------+--|<|--[===]--+- 电池 -+- GND
   1 H3 @% J) A. Z* Q7 ^/ c) K
3.            .----_----.                             |
   & ^1 @6 u6 ~' R- {& O* T+ N3 A
4.       NC - |01     28| - +5V ----------------------+--|<|---------- +5V
   
5.      A12 - |02     27| - /WE --- MMC1 17脚         |   D2
   
6.       A7 - |03     26| - CS2 --- MMC1 6脚          |
   ! [. x4 S9 _! m- j( Y/ [* D
7.       A6 - |04     25| - A8                        -
   
8.       A5 - |05     24| - A9                       | | R2
   + y. D, n' B2 o5 z* F* d
9.       A4 - |06     23| - A11                      | |
   5 I  s. P' H- @1 q4 R
10.       A3 - |07     22| - /OE -- GND                |
    3 [6 w, W: M3 z5 L9 `' e
11.       A2 - |08     21| - A10                       |
    
12.       A1 - |09     20| - /CS1 ---------------------+------- MMC1 11脚
    : R" ~5 y* x% [
13.       A0 - |10     19| - D7      
    + V, K1 g, w8 y' t
14.       D0 - |11     18| - D6      
    * ?* [+ N- y: W7 Q1 @
15.       D1 - |12     17| - D5      
    
16.       D2 - |13     16| - D4      
    
17.      GND - |14     15| - D3      
    
18.            '---------'

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