什么是F-RAM?
# @" V6 x& S$ u7 y! ?- C引用百度百科上的介绍：7 t" n% o* c% j' e4 a: ^
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简介
4 E2 f/ r8 P- ]& G6 R7 u: DFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
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$ g5 B- F8 p/ ?4 k+ f% X. u: P" E特点/ ~0 t0 N- ?! v
FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
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6 T) j5 M; n; p4 [+ p/ v" C1 iF-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片，很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意，$ _8 S! R7 P+ y$ V
这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题：; f- _2 C7 @3 K% D
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1.寿命
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由于铁电存储器的特性，导致读取数据时会破坏存储单元中的数据，所以FRAM芯片内置锁存器，读出数据时，数据先暂存在内部锁存器上，( k$ f' J* f5 I) N# s; `$ E
之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的，而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别，EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制，而没有读取次数限制。
2 L( |2 Z) q7 Z. j4 Q6 V% @只是F-RAM访问寿命超强，约为10的10次方，也就是100亿次，如果电路设计合理，芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。
+ V3 ]( K9 `" @- z0 }F-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途，而不能替代随时连续读写的工作内存，比如S-ram。" G" Z# a* \' o( r4 G) g7 k
1 D- O% N# L9 g, U3 v) I( D2.时序问题
1 g4 s/ ~$ z: n8 {. ^F-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序，由于内部锁存器的存在，使得读写时序有区别于S-RAM芯片
1 E3 |% X& N0 U' e9 }0 J图表：F-RAM和S-RAM操作时序区别% ]( `; W+ p9 D
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2 u3 L% T6 ]1 P# E' N8 g3 OF-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作，不像S-RAM 芯片，/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。
( Q: w6 }+ c- Q5 J此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作，所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).: D% ~8 ?4 X0 A. e% w, b
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3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题( {( G" m$ D' m6 C" P
NV-ram芯片监控VDD的值，当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作，而F-RAM芯片没有此特性，只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时，应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。
2 I2 s' Y9 e2 W( i+ y另外在CPU Reset期间或系统上电期间，为防止产生意外的/CE信号低电平，进而意外改写数据，应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。
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% b7 j( `) L$ j5 |以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项，当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别，这就得参考相应产品的数据表。 |
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发表于 2016-6-5 23:40:43
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