什么是F-RAM?
$ e6 s( [0 d# h1 Y4 K0 s引用百度百科上的介绍：
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简介+ n2 E3 A# W3 U* B- D# U
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。/ U6 I8 V9 k9 R' D: r" P+ ^
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特点
: Y: \" y% f+ Q2 d5 IFRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。, q8 d9 V8 G& U) ]. B
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$ I, t# z! Q/ W1 [F-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片，很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意，; V0 z$ m# {0 N+ z, y- D2 K
这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题：, N( X+ S7 z# D# F
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1.寿命
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由于铁电存储器的特性，导致读取数据时会破坏存储单元中的数据，所以FRAM芯片内置锁存器，读出数据时，数据先暂存在内部锁存器上，5 Y6 j5 _" r6 G2 n
之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的，而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别，EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制，而没有读取次数限制。0 r" j& D/ R* F! R
只是F-RAM访问寿命超强，约为10的10次方，也就是100亿次，如果电路设计合理，芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。) k: w q: c% P+ H5 M9 e& p
F-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途，而不能替代随时连续读写的工作内存，比如S-ram。! [0 q& O5 p$ F. ]) G6 H
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2.时序问题, H6 S% A6 x' O8 C7 C) f- X2 |& E+ a
F-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序，由于内部锁存器的存在，使得读写时序有区别于S-RAM芯片
6 n. y' V. W9 t3 b6 ^图表：F-RAM和S-RAM操作时序区别9 T: T( |4 j. \ a$ m+ j9 I( ~
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! J9 h$ O9 I7 ]* C' ~F-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作，不像S-RAM 芯片，/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。3 H# _& n3 v1 _3 @; }- @
此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作，所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).$ f9 Z# b/ `6 s: q% L6 f( B
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3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题
* S/ d# U$ M. o2 Y) ^; D5 u( ~NV-ram芯片监控VDD的值，当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作，而F-RAM芯片没有此特性，只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时，应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。5 l- G. _. F `! `6 M3 N
另外在CPU Reset期间或系统上电期间，为防止产生意外的/CE信号低电平，进而意外改写数据，应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。7 c. u: k- d+ B' M
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以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项，当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别，这就得参考相应产品的数据表。 |
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发表于 2016-6-5 23:40:43
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