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减版150合一卡带,卡比之星不能存档改造。

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发表于 2016-5-30 11:01:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
一直想买150合一卡,上面动作游戏基本全有,在某宝看到沉金可存档卡45元,觉得不值一直没买。
: m1 o4 P" n! ^" b3 ~, x' U3 P后来出了减版的150合一不能存档20几元看着还可以,于是下手到货后玩卡比之星不能存档很是不爽。4 i7 y' C- b3 [
于是决定改造成可存档的,百度大量资料后,终于成功,不过不知道能存多长时间,还在实验中。& i3 X2 b/ ?+ x' W; k
不说过程了直接上图。: i8 z3 z, v! d& @# R9 D
买的时候没有照相借图
8 e* _5 n) n' K+ s: l8 s8 \% C: }0 n% p

* R( V* ~3 Q( e2 m: w9 |- _; _4 e电池正面8 H# N2 c0 e: m; O

/ Y1 B6 q$ }1 F) _3 c5 {9 ?* I电池背面
+ o5 D# w( d  P, J2 A5 U# y) m& ]2 H! `1 p
改造好的卡正面
; P5 K, \* k- y4 X! e( q1 X
( ^  \/ L) ^+ N" T改造好的卡背面7 _4 A6 y' p* H) d) S; H

+ G3 h7 |8 E" y& k: o存档
8 h* O3 w$ C' A# |: T! P) n) Z/ A7 h/ W
关机拔卡! t0 l! i6 j( @( {+ F

) w. m  A: b+ ^+ F拔卡' t, D7 Q/ U+ I) X) i
. K* V2 Q) k3 |
重新插卡: s' v- C( s( A6 ^- v# l% \, d/ ?4 f

+ ~4 M+ x6 [) D开机存档还在成功
6 {4 e! _$ S8 E2 a! G- Z% }/ n9 Q( _$ e6 Q& O8 l+ x6 D8 d$ c) ]
原理图
! n" F! |" H: Z: r3 f& F$ K! Z% }
0 Z# k) M0 E* @+ m0 E卡带还在实验中看纽扣电池能存档多长时间。如可存时间能达一个月,说明成功,发原理图。0 q& O+ Q7 k  N  b9 D$ t8 x
实验两天未掉档,玩个别游戏掉档未查明原因,已知掉档游戏:马里奥3代、热血时代剧。

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发表于 2016-6-1 04:38:24 | 显示全部楼层
本帖最后由 不拘一格 于 2019-1-23 00:47 编辑
5 [" w9 w' _+ K' K6 A$ p' \% k2 ~! i* o& H% Y0 h
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 楼主| 发表于 2016-6-6 13:27:44 | 显示全部楼层
不拘一格 发表于 2016-6-1 04:38/ p2 s% d) H9 V1 z# q6 m
2032没有限流电阻,很快就会放电放光,而且容易掉存档。
7 I7 O' n) p4 {* Z$ K: Y' j/ S1 x# i, ~1 n+ A' ~
建议2032出来窜一个4.7K-10K电阻。比较老的SRAM选 ...

. M6 l  f% N7 |, u已经改了4 H6 F5 r. g7 ~. z! y+ I2 P

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发表于 2016-6-6 23:32:04 | 显示全部楼层
很好的方案!谢谢两位分享
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发表于 2016-6-28 15:05:17 | 显示全部楼层
good. - [$ t5 A/ A# @4 s

! Q/ U5 e* c$ o1 Y新型的SRAM,2010年后出的,台湾制造的,内部CS逻辑做了部分改进,供耗很小,此种SRAM很好,存档可靠性以及记录时间都很长,3-5年不是问题。
* U4 I) d0 I/ ?7 Z- e* G3 d) t- p4 Y6 J# W9 F
老型号的sram,供耗大,CS逻辑是控制简单,比较容易掉档
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发表于 2016-6-28 15:09:33 | 显示全部楼层
本帖最后由 不拘一格 于 2016-6-28 15:14 编辑 ' \5 R" c3 }0 ]8 F# \
' K/ M( X4 g" f
根据nintendo的原装卡带分析,其5V,GND这两根金手指比其他信号脚长,这种设计的原理就是当用户万一带电拔卡的时候,先信号线掉电,再5V掉电;好处是避免5V掉电时候对信号脚的浪涌冲击而损坏存档/。插卡时候逻辑反之,先5V上电,再信号线给电平
% z+ X7 @: b: }7 P; K. @
! R* c6 O% v/ ]2 p7 w2 f3 s不过对于2010年以后台湾生产的sram,内部逻辑做了优化该进,已经不需要这么处理了
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发表于 2019-2-22 02:12:20 | 显示全部楼层
有无可能改成充电电池版?插卡充电,拔卡放电之类的。
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