开工做FC的烧录卡，希望前辈们给些资料。

pllyq52

买到了两张原装的游戏卡，一张是MMC3B的，一张是MMC1A的，还找出了一堆vcd的解码板，打算做两张烧录卡，希望得到各位前辈的支持。

雷精灵2046

正版卡改烧录卡，首先要有烧录器。
& `0 s# v1 p8 D- M
/ ^6 W: F/ N4 E8 `看到你的VCD解码板上有Winbond的W27C010，这是1Mbit的EPROM芯片，可以用来烧录，但需要专门的烧录器。如果你打算使用这些EPROM芯片的话，去X宝买个EPROM烧录器，价格约30~150左右。
不过最好的方案还是使用Flash芯片+Kazzo烧录器。拆机Flash芯片非常便宜，X宝一片约2元。Kazzo烧录器完全开源，可以自己制作，也可以X宝买现成的，价格约75元。自己做的话不到40元。
% a8 t6 u9 d1 e
EPROM烧录需要在VPP引脚加+12V高电压才能烧录。所以如果使用了EPROM的话，想换游戏就得把芯片拆下来，放到烧录器上烧完再放到卡带上面去。你可以给卡带上装芯片插座，方便取下。
Flash芯片烧录不需要高电压，给出往特定的地址写特定的命令就能烧录。所以无需拆芯片，可以直接把芯片焊死在卡带板子上。而Kazzo烧录器也正是为了实现方便烧录而开发出来的。
/ m  S: r! }8 x% |1 |6 w
0 [1 d  c# v" `0 B- G" E1 f我个人建议你选择使用Flash+Kazzo。

雷精灵2046

买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
5 w! X+ [+ ]% T3 Q$ v! `$ d/ zKazzo对这个芯片的支持最好。
其他芯片虽然也不是不能用，但是你可能会面临所谓“A10/A14”高位地址的问题，导致那些芯片未必能够用在你的烧录卡上，徒增浪费。所以还是使用被广大群众证实过好用的芯片为上策。
- h( A7 h4 `$ c5 ^) I2 J7 i5 eX宝上这个拆机芯片价格约2元/片，全新芯片约7~15元。一般来说没必要买全新芯片，因为这种Flash芯片写入寿命非常长，最少也有上万次甚至上十万次的寿命。而拆机芯片基本上不可能把这些寿命都用尽。所以使用拆机芯片是比较经济且靠谱的。

0 |3 o% ?0 S* N3 h& D买来flash芯片和kazzo烧录器之后我再继续教你怎么改成烧录卡。
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2 H8 j- q) O7 |, a

5 I5 g  m* w6 @4 t$ {  F5 D
; e7 Y. n# M# @9 ?2 a& L' s& O. r; F题外话：从对游戏的兼容性上来说，你这两盘卡带并不好。那个MMC1的卡带，板子上写着SGROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+8KByte的CHR RAM。没有WRAM，没有后备电池，很多mapper1的游戏都不能玩。MMC3的卡带，TLROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+128K/256KByte的CHR ROM。同样没有WRAM和后备电池，能玩大部分mapper4的游戏，但还有很多mapper4的游戏需要CHR RAM或WRAM的，也不能玩。
) i8 W, i2 [0 @% s5 X当然，只要你愿意，而且胆大心细手艺高，完全也可以把缺少的元件加上，再配合一些逻辑电路，甚至可以做出几乎全兼容那个mapper的卡带。我自己手里的几盘卡带几乎都是“全兼容”。

pllyq52

雷精灵2046 发表于 2018-12-13 10:13
买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
3 E% p0 V/ H+ R/ ]* h+ RKazzo对这个芯片的 ...

* e7 Y; E) T) J2 F7 d+ ?: l. w谢谢指点，在某宝上搜了一下“kazzo烧录器”，什么也没现，怎么没见有卖呢？所以就把MMC1卡的PRG拆了下来，发现情况比想象要糟糕，板上的A17地址线是接在Vcc上的，那芯片在编程器（普通编程器不是kazzo），发现上64K和下64K的数据果然是一样的，看来只能玩的游戏就更少了，如何补齐逻辑电路还得麻烦您指点一下。

雷精灵2046

原来你有基础，手艺也不错，那就太好了，省了我很多事。

+ L7 b5 U1 {+ p5 u首先说一下关于kazzo烧录器。你可以在闲鱼上搜索“kazzo”，有一家保定的，75块钱。虽然是闲鱼，但实际上是店主自制的全新kazzo，非量产，并非二手货。可以放心购买。
" c, T. N: i7 w1 C+ e/ e然后解释一下你遇到的现象。你那个MMC1的卡带上的PRG ROM芯片丝印是HFC-RT-0，板子是HVC-SGROM-02，查数据库可以断定这是《サラダの国のトマト姫》（沙拉国的土豆公主）。
注意，事实上这个游戏的PRG ROM是256K，而你只读了128K的内容，而且读出来的数据，前后64K都是相同的。造成这个问题的原因是，Mask ROM的引脚排列，并不遵守JEDEC标准。换句话说，这个Mask ROM并不能直接放到烧录器插座上读数据，而是需要飞线。

1.     PRG Mask ROM                          EPROM
   
2.        ---_---                           ---_---
   3 s. Q+ m- _8 U* C. w
3. A17 - |01   32| - +5V             VPP - |01   32| - +5V
   8 e7 q( Y+ A6 i% s8 p0 Q! r- w
4. /CE - |02   31| - +5V             A16 - |02   31| - PGM
   
5. A15 - |03   30| - +5V             A15 - |03   30| - NC
   2 l* R' u8 p* n9 w8 J* W- h
6. A12 - |04   29| - A14             A12 - |04   29| - A14
   
7. A7  - |05   28| - A13             A7  - |05   28| - A13
   2 a3 [+ y9 f/ k9 x5 W/ \& k
8. A6  - |06   27| - A8              A6  - |06   27| - A8
   2 o* C% j% t3 L; U, o: p$ ]
9. A5  - |07   26| - A9              A5  - |07   26| - A9
   
10. A4  - |08   25| - A11             A4  - |08   25| - A11
    
11. A3  - |09   24| - A16             A3  - |09   24| - /OE
    8 [7 N7 K# |- }# z( ?( G
12. A2  - |10   23| - A10             A2  - |10   23| - A10
    
13. A1  - |11   22| - /CE             A1  - |11   22| - /CE
    
14. A0  - |12   21| - D7              A0  - |12   21| - D7
    $ ]. ~, d/ G8 p/ e7 P8 q! N: X
15. D0  - |13   20| - D6              D0  - |13   20| - D6
    
16. D1  - |14   19| - D5              D1  - |14   19| - D5
    8 R, p% H: m: e$ J) s
17. D2  - |15   18| - D4              D2  - |15   18| - D4
    
18. GND - |16   17| - D3              GND - |16   17| - D3
    
19.        -------                           -------

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2 H( q0 ~" Y, p2 E3 K这是32脚的PRG Mask ROM和32脚的EPROM引脚对比图。相比之下，Mask ROM没有/OE引脚，而多出一个A17引脚，所以32脚的PRG Mask ROM容量为256K，而EPROM只有128K。
这就解释了你读Mask ROM的结果。对于通用编程器来说，它不知道你插到锁紧座上的是Mask ROM，它只把这个芯片当成是符合JEDEC标准的EPROM来对待。于是在读的时候，编程器给1脚加了高电平，24脚低电平，30脚电平未知，暂且假设是高电平，31脚低电平。
5 b! x  l) H1 }9 y  Z可见，Mask ROM的A16和A17都被定死了电平，所以你只能读出芯片容量（256K）的四分之一的数据，也就是64K。
8 y: M" ~% L8 d: C而当编程器把芯片当成EPROM读到高64K的时候，2脚高电平。但对于Mask ROM来说，2脚等效于22脚，而22脚是片选，始终是低电平。对于常见的单片机来说，低电平的灌电流能力比高电平的拉电流能力强，于是2脚被强制拉低，于是和读低64K的情况一样。所以读出的高64K和低64K数据相同。

雷精灵2046

如果你能理解上面我分析的原因，那么你就肯定知道该怎么办了。

, e/ ]* A0 P4 ^  t; J既然你有通用编程器，那么不买kazzo也无妨。就是换游戏的时候有点费劲，得在板子上装插座，方便拆芯片。此外，你还得飞线。
你得买256K的EPROM，在编程器上烧好ROM，然后把1、2、24、30、31脚掰起来，不能插到板子的插座里面，然后芯片的1脚接+5V，2脚接板子的24孔洞，24脚接地，30脚接板子的1孔洞，31脚接地。
' C. ~1 Y! S5 H+ X+ h9 S$ s) @9 ]这样引脚就对正了。卡带就能正常运行了。
4 u! a4 b2 F' q2 `
如果你买了kazzo，那么你就要买flash芯片。flash芯片可以在线编程，不需要拆下来。换游戏很方便。如果你愿意使用这种方法的话，那么我再教你如何给flash芯片飞线。

pllyq52

    谢谢指点，马上开工，首先当然是要找一片256K的EPROM，很遗憾，没找到，

128的倒有不少。还好在一块老电脑主板上找到一片AT49F002，百度一下，这应
7 p& x  f$ ?1 ^* j4 C7 v$ U
该是一片256K的fiash，看看引脚定义和EPROM的也是相差无几，姑且试试，往

9 I) w2 u5 P$ y% V里面随便烧了一个mapper1的游戏，1脚复位（低电平有效）就接在Vcc吧（后来

发现接在GND也是可以的），2脚A16接在24孔，24脚接在GND，30脚A17接在1孔

，31脚应该是写入允许（低电平有效）就接在Vcc吧。上机一试，成功了，哈哈
9 }$ k' [# j1 G4 n* _, C
，好像烧进去的是一个日文的RPG的游戏。

8 R" h8 a) c1 i1 B5 ^. ^( s- K    小时候玩过《重装机兵》，感觉这种游戏很强大（因为游戏里面还有小游
0 O2 Y6 i- @4 V6 ]0 i1 l
戏）没想到却只有256K，那个卡带里面是有电池的，但是现在电池应该装在那

8 ?: \+ R" S$ ]4 n呢？

) }/ P/ l' Z# r+ _, D! Y. l
% s: {' _$ R0 _6 q$ k+ S& _在试换个游戏，没想到，开机一看却只有一行日文，然后按手柄也没任何反应。怪，这日文是啥意思，谁看得懂？

雷精灵2046

这句话的意思就是后备存档芯片很奇怪。
很显然，你找了一个带存档功能的游戏烧进芯片里面了。但是板子上并没有WRAM和后备存档电池，所以游戏逻辑在检测存档的时候得到了错误的结果，于是显示出错误警告。
1 f; n# z+ J: M. p5 n3 M* N  ?; f如果你想玩这个游戏，那么就需要给板子上增加WRAM和后备电池。

雷精灵2046

由于你的板子是HVC-SGROM，配置是128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM，那么加上WRAM之后就变成了128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM + 8K WRAM + 后备电池这样的配置，也就是HVC-SNROM。
那么改造方案就很明确了。

# u4 A' q! V; P  w, [首先准备如下元件：
, `# M+ T8 ]' m, Q3 F1 D8KByte的SRAM一片。推荐型号HM6264，或者KM6264，或者UMC6264，反正只要是6264就行。
1 |" M" s* a; ?0 E" @; G普通开关二极管两个。推荐型号1N4148。
1 ^2 p) P" |" L" z  \普通碳膜或金属膜电阻两个。阻值10K~100K均可。
普通电解电容一个。容量1uF以上即可。耐压超过10V即可。
3V电池一个。建议使用2032+纽扣电池座，或者使用微型3.7V锂电池。

# V  J, x9 N9 R" E改造方法如下：
+ w( f1 k" D& R" A7 b# P" k' p首先把SRAM的数据总线和地址总线，也就是D0~D7和A0~A12全部直接连接到PRG ROM的数据总线和地址总线上。一一对应。
SRAM的GND连接到PRG ROM的GND。
SRAM的/WE连接到MMC1芯片的17脚。
7 ]' Q5 ], Y  Y& ]5 u1 SSRAM的/OE接GND。
SRAM的/CS1连接到MMC1芯片的11脚。
9 h3 u9 C/ R; }6 ]- D1 GSRAM的CS2连接到MMC1芯片的6脚。
( j4 D' }9 D8 y( M& I( B* q4 oSRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接板子上的VCC。
/ g& c1 `# I9 K$ O) x% d; X* H同时，SRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接电阻，电阻接电池正极。
电池负极接GND。
% M/ }* r5 O* j8 Z9 O' t% _8 [电解电容正负极跨接SRAM的VCC和GND。
最后一个电阻跨接SRAM的VCC和/CS1。
3 b2 e' Q8 t6 ~  }! l% W
* h7 p, s( W. r这是电路图：

1.                                           C            D1    R1
   4 t+ a( F: i% J4 t7 |/ E3 K
2.               6264               GND ----||--------+--|<|--[===]--+- 电池 -+- GND
   ' l! ~! ?) F( t8 S
3.            .----_----.                             |
   
4.       NC - |01     28| - +5V ----------------------+--|<|---------- +5V
   
5.      A12 - |02     27| - /WE --- MMC1 17脚         |   D2
   ( d5 s, @( s+ D( L
6.       A7 - |03     26| - CS2 --- MMC1 6脚          |
     l* h, R/ h0 A' v3 m- z
7.       A6 - |04     25| - A8                        -
   
8.       A5 - |05     24| - A9                       | | R2
   8 I2 T% n4 }& H8 @  W& |" u9 z; K
9.       A4 - |06     23| - A11                      | |
   $ E7 s, }1 v5 U# E4 [( X$ V
10.       A3 - |07     22| - /OE -- GND                |
    
11.       A2 - |08     21| - A10                       |
    4 b2 o2 b( S" A6 z
12.       A1 - |09     20| - /CS1 ---------------------+------- MMC1 11脚
    
13.       A0 - |10     19| - D7      
    
14.       D0 - |11     18| - D6      
    
15.       D1 - |12     17| - D5      
    . i7 G! b/ s: N" e4 L( o2 A0 l1 l& p
16.       D2 - |13     16| - D4      
    
17.      GND - |14     15| - D3      
    
18.            '---------'

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