开工做FC的烧录卡，希望前辈们给些资料。

pllyq52

买到了两张原装的游戏卡，一张是MMC3B的，一张是MMC1A的，还找出了一堆vcd的解码板，打算做两张烧录卡，希望得到各位前辈的支持。
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: W, A" q( `, X' X" D0 ^

雷精灵2046

正版卡改烧录卡，首先要有烧录器。

' N& a# G4 v6 \* c看到你的VCD解码板上有Winbond的W27C010，这是1Mbit的EPROM芯片，可以用来烧录，但需要专门的烧录器。如果你打算使用这些EPROM芯片的话，去X宝买个EPROM烧录器，价格约30~150左右。
6 v$ S" J$ G  ]% W( {) t不过最好的方案还是使用Flash芯片+Kazzo烧录器。拆机Flash芯片非常便宜，X宝一片约2元。Kazzo烧录器完全开源，可以自己制作，也可以X宝买现成的，价格约75元。自己做的话不到40元。

EPROM烧录需要在VPP引脚加+12V高电压才能烧录。所以如果使用了EPROM的话，想换游戏就得把芯片拆下来，放到烧录器上烧完再放到卡带上面去。你可以给卡带上装芯片插座，方便取下。
Flash芯片烧录不需要高电压，给出往特定的地址写特定的命令就能烧录。所以无需拆芯片，可以直接把芯片焊死在卡带板子上。而Kazzo烧录器也正是为了实现方便烧录而开发出来的。
; U) J4 D/ T7 t+ e- K
& I. w$ _3 l/ O+ w* C( z我个人建议你选择使用Flash+Kazzo。

雷精灵2046

买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
Kazzo对这个芯片的支持最好。
$ Z- K- T& g( C& `2 l其他芯片虽然也不是不能用，但是你可能会面临所谓“A10/A14”高位地址的问题，导致那些芯片未必能够用在你的烧录卡上，徒增浪费。所以还是使用被广大群众证实过好用的芯片为上策。
! C. I  Y$ [3 e, ~- p9 sX宝上这个拆机芯片价格约2元/片，全新芯片约7~15元。一般来说没必要买全新芯片，因为这种Flash芯片写入寿命非常长，最少也有上万次甚至上十万次的寿命。而拆机芯片基本上不可能把这些寿命都用尽。所以使用拆机芯片是比较经济且靠谱的。
* B/ x4 r0 L- l% v. z; N. V2 e/ n  Z6 t
买来flash芯片和kazzo烧录器之后我再继续教你怎么改成烧录卡。


4 Y3 J0 a" w4 g  z2 t' D! z2 A
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" H# w9 T+ T1 N2 U* x题外话：从对游戏的兼容性上来说，你这两盘卡带并不好。那个MMC1的卡带，板子上写着SGROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+8KByte的CHR RAM。没有WRAM，没有后备电池，很多mapper1的游戏都不能玩。MMC3的卡带，TLROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+128K/256KByte的CHR ROM。同样没有WRAM和后备电池，能玩大部分mapper4的游戏，但还有很多mapper4的游戏需要CHR RAM或WRAM的，也不能玩。
当然，只要你愿意，而且胆大心细手艺高，完全也可以把缺少的元件加上，再配合一些逻辑电路，甚至可以做出几乎全兼容那个mapper的卡带。我自己手里的几盘卡带几乎都是“全兼容”。

pllyq52

雷精灵2046 发表于 2018-12-13 10:13
3 D1 F6 j3 C4 c/ E6 i2 N1 i9 y/ @! x买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
- }, W/ K. Z; d  NKazzo对这个芯片的 ...

0 n6 c  \9 A1 r! d
谢谢指点，在某宝上搜了一下“kazzo烧录器”，什么也没现，怎么没见有卖呢？所以就把MMC1卡的PRG拆了下来，发现情况比想象要糟糕，板上的A17地址线是接在Vcc上的，那芯片在编程器（普通编程器不是kazzo），发现上64K和下64K的数据果然是一样的，看来只能玩的游戏就更少了，如何补齐逻辑电路还得麻烦您指点一下。
7 P/ x; [+ T& x+ S; i# C

雷精灵2046

原来你有基础，手艺也不错，那就太好了，省了我很多事。

* L! s7 Q8 b& G首先说一下关于kazzo烧录器。你可以在闲鱼上搜索“kazzo”，有一家保定的，75块钱。虽然是闲鱼，但实际上是店主自制的全新kazzo，非量产，并非二手货。可以放心购买。
然后解释一下你遇到的现象。你那个MMC1的卡带上的PRG ROM芯片丝印是HFC-RT-0，板子是HVC-SGROM-02，查数据库可以断定这是《サラダの国のトマト姫》（沙拉国的土豆公主）。
注意，事实上这个游戏的PRG ROM是256K，而你只读了128K的内容，而且读出来的数据，前后64K都是相同的。造成这个问题的原因是，Mask ROM的引脚排列，并不遵守JEDEC标准。换句话说，这个Mask ROM并不能直接放到烧录器插座上读数据，而是需要飞线。

1.     PRG Mask ROM                          EPROM
   9 y, k5 G: M; R" d# A7 Z6 N3 a
2.        ---_---                           ---_---
   - l" I* e; L: o% a
3. A17 - |01   32| - +5V             VPP - |01   32| - +5V
   
4. /CE - |02   31| - +5V             A16 - |02   31| - PGM
   1 k1 v9 W: H6 U, `7 O+ H
5. A15 - |03   30| - +5V             A15 - |03   30| - NC
   # f& z) Y% Z# g. W
6. A12 - |04   29| - A14             A12 - |04   29| - A14
   
7. A7  - |05   28| - A13             A7  - |05   28| - A13
   - O9 Y) j3 r! U
8. A6  - |06   27| - A8              A6  - |06   27| - A8
   
9. A5  - |07   26| - A9              A5  - |07   26| - A9
   ( X: ?- S3 @" `  B
10. A4  - |08   25| - A11             A4  - |08   25| - A11
    
11. A3  - |09   24| - A16             A3  - |09   24| - /OE
    
12. A2  - |10   23| - A10             A2  - |10   23| - A10
    , V0 @1 Y+ L, |! ^
13. A1  - |11   22| - /CE             A1  - |11   22| - /CE
    # y( P# R) u& s, D6 h
14. A0  - |12   21| - D7              A0  - |12   21| - D7
    
15. D0  - |13   20| - D6              D0  - |13   20| - D6
    - n+ e% V- H# n, `) o
16. D1  - |14   19| - D5              D1  - |14   19| - D5
    
17. D2  - |15   18| - D4              D2  - |15   18| - D4
    8 }) T' W" |3 y4 l. S
18. GND - |16   17| - D3              GND - |16   17| - D3
    9 J* r$ i& ~: a2 X& T6 c7 T: A, _
19.        -------                           -------

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3 b- g4 \7 @$ E3 B1 V这是32脚的PRG Mask ROM和32脚的EPROM引脚对比图。相比之下，Mask ROM没有/OE引脚，而多出一个A17引脚，所以32脚的PRG Mask ROM容量为256K，而EPROM只有128K。
  P- W0 P# K  X" I1 g, F这就解释了你读Mask ROM的结果。对于通用编程器来说，它不知道你插到锁紧座上的是Mask ROM，它只把这个芯片当成是符合JEDEC标准的EPROM来对待。于是在读的时候，编程器给1脚加了高电平，24脚低电平，30脚电平未知，暂且假设是高电平，31脚低电平。
0 j4 e. M. J* f' L/ ?  ]6 X' a可见，Mask ROM的A16和A17都被定死了电平，所以你只能读出芯片容量（256K）的四分之一的数据，也就是64K。
2 ]6 l8 X  x- H) n; P. v而当编程器把芯片当成EPROM读到高64K的时候，2脚高电平。但对于Mask ROM来说，2脚等效于22脚，而22脚是片选，始终是低电平。对于常见的单片机来说，低电平的灌电流能力比高电平的拉电流能力强，于是2脚被强制拉低，于是和读低64K的情况一样。所以读出的高64K和低64K数据相同。

雷精灵2046

如果你能理解上面我分析的原因，那么你就肯定知道该怎么办了。

既然你有通用编程器，那么不买kazzo也无妨。就是换游戏的时候有点费劲，得在板子上装插座，方便拆芯片。此外，你还得飞线。
! B  R$ N) ~6 v7 Q$ \$ j) E1 N4 z你得买256K的EPROM，在编程器上烧好ROM，然后把1、2、24、30、31脚掰起来，不能插到板子的插座里面，然后芯片的1脚接+5V，2脚接板子的24孔洞，24脚接地，30脚接板子的1孔洞，31脚接地。
9 V0 h% m3 I1 I! g; ^0 |+ H% J这样引脚就对正了。卡带就能正常运行了。
# T$ @9 S: g& I6 z2 d# M
如果你买了kazzo，那么你就要买flash芯片。flash芯片可以在线编程，不需要拆下来。换游戏很方便。如果你愿意使用这种方法的话，那么我再教你如何给flash芯片飞线。

pllyq52

    谢谢指点，马上开工，首先当然是要找一片256K的EPROM，很遗憾，没找到，
. |- u  D) @( J* j, z4 {
128的倒有不少。还好在一块老电脑主板上找到一片AT49F002，百度一下，这应
3 }& c, B8 |4 Q
该是一片256K的fiash，看看引脚定义和EPROM的也是相差无几，姑且试试，往

里面随便烧了一个mapper1的游戏，1脚复位（低电平有效）就接在Vcc吧（后来

发现接在GND也是可以的），2脚A16接在24孔，24脚接在GND，30脚A17接在1孔
8 @% E( z. w+ c- a7 p7 ^
6 B) K7 w6 o2 s4 ~0 t2 {, g，31脚应该是写入允许（低电平有效）就接在Vcc吧。上机一试，成功了，哈哈

' S! r2 F6 m7 g# ^( p. S，好像烧进去的是一个日文的RPG的游戏。
/ T9 x  Q7 F) f: j/ g" c
% O* a  d6 s) Q$ w: k    小时候玩过《重装机兵》，感觉这种游戏很强大（因为游戏里面还有小游

戏）没想到却只有256K，那个卡带里面是有电池的，但是现在电池应该装在那
7 T0 D7 l6 G. r5 E
呢？


在试换个游戏，没想到，开机一看却只有一行日文，然后按手柄也没任何反应。怪，这日文是啥意思，谁看得懂？
* E7 `0 y% T- L7 d2 W7 O+ W$ B: X

雷精灵2046

这句话的意思就是后备存档芯片很奇怪。
3 b! m7 Y# d0 K$ ^1 [很显然，你找了一个带存档功能的游戏烧进芯片里面了。但是板子上并没有WRAM和后备存档电池，所以游戏逻辑在检测存档的时候得到了错误的结果，于是显示出错误警告。
如果你想玩这个游戏，那么就需要给板子上增加WRAM和后备电池。

雷精灵2046

由于你的板子是HVC-SGROM，配置是128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM，那么加上WRAM之后就变成了128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM + 8K WRAM + 后备电池这样的配置，也就是HVC-SNROM。
那么改造方案就很明确了。
1 h1 e. S- [0 c" u# C2 L
首先准备如下元件：
* g' U* [4 p9 W: ^% B% J* ]8KByte的SRAM一片。推荐型号HM6264，或者KM6264，或者UMC6264，反正只要是6264就行。
; M0 \4 b% V! f7 s3 H7 K" z7 {普通开关二极管两个。推荐型号1N4148。
, _* ^9 E& |: A普通碳膜或金属膜电阻两个。阻值10K~100K均可。
1 a3 T+ `2 R) S+ w- U5 H7 y: F7 u$ P普通电解电容一个。容量1uF以上即可。耐压超过10V即可。
+ D9 C! A+ F9 a& u; d3V电池一个。建议使用2032+纽扣电池座，或者使用微型3.7V锂电池。

* n" j) ^8 A; |# W6 M改造方法如下：
- F* Y) S, w; S1 O% V% ^0 l首先把SRAM的数据总线和地址总线，也就是D0~D7和A0~A12全部直接连接到PRG ROM的数据总线和地址总线上。一一对应。
- V) g! Y7 `- W; c9 {; ]! jSRAM的GND连接到PRG ROM的GND。
4 |+ m) d% j5 C! {1 @7 lSRAM的/WE连接到MMC1芯片的17脚。
SRAM的/OE接GND。
SRAM的/CS1连接到MMC1芯片的11脚。
4 s* ^) m- U3 Y0 T5 E% ^6 ASRAM的CS2连接到MMC1芯片的6脚。
- P# d" |! X4 }8 tSRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接板子上的VCC。
同时，SRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接电阻，电阻接电池正极。
( W6 k. \: Y. P$ P: ]( l: n1 t, b电池负极接GND。
电解电容正负极跨接SRAM的VCC和GND。
最后一个电阻跨接SRAM的VCC和/CS1。
. k' ~' Z1 x' ?, }2 V+ \
这是电路图：
: E! u$ A0 b3 R- s; k; v' q2 b: }+ ^/ d% p% @

1.                                           C            D1    R1
   : `- n4 D# G: \1 J$ V9 O4 S" v
2.               6264               GND ----||--------+--|<|--[===]--+- 电池 -+- GND
   
3.            .----_----.                             |
   
4.       NC - |01     28| - +5V ----------------------+--|<|---------- +5V
   
5.      A12 - |02     27| - /WE --- MMC1 17脚         |   D2
   
6.       A7 - |03     26| - CS2 --- MMC1 6脚          |
   1 E" s6 F) ~& H  P" q7 q/ J8 q7 s
7.       A6 - |04     25| - A8                        -
   8 a9 C' Z# `) O8 I0 B5 B
8.       A5 - |05     24| - A9                       | | R2
   
9.       A4 - |06     23| - A11                      | |
   
10.       A3 - |07     22| - /OE -- GND                |
    + A/ I! I; M* W$ c
11.       A2 - |08     21| - A10                       |
    
12.       A1 - |09     20| - /CS1 ---------------------+------- MMC1 11脚
    + @$ {8 z. M3 W) c7 l1 @
13.       A0 - |10     19| - D7      
    
14.       D0 - |11     18| - D6      
    % f) Z( H4 T$ ^5 `* X) \, Q" q
15.       D1 - |12     17| - D5      
    
16.       D2 - |13     16| - D4      
    
17.      GND - |14     15| - D3      
    ) D" Z2 P) o3 [5 K9 F3 ~1 _7 A
18.            '---------'

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