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FRAM芯片的使用注意事项

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发表于 2016-6-5 23:40:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
什么是F-RAM?/ @1 H  v5 Y9 @' |9 k
引用百度百科上的介绍:
% q3 k) m8 r  B; P' }
! O9 x' e! N' @( e4 S% X简介
$ }% M) X$ a5 s/ vFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。
& y+ O$ l$ C  F% _, Q1 `1 n
7 \+ x" `- B5 A+ s特点3 Z3 `; k. b/ K0 z4 b. |& d
FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。# o' [: a% w$ O: l! i' @' _
----------------------------1 i, g+ k: R, y* }6 e! F. r5 X9 {

+ F" j8 L3 x8 _8 s. U0 S$ aF-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片,很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意,- {5 _& Y7 Q" ~
这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题:2 d# j) a* S% x( y; j# a' h* N

; b- w- e5 X& O& V/ M1.寿命2 C) m! \  {" Y" _' l

* s- W' P3 Z: h) X1 l由于铁电存储器的特性,导致读取数据时会破坏存储单元中的数据,所以FRAM芯片内置锁存器,读出数据时,数据先暂存在内部锁存器上,4 ^7 c; h' }4 F7 u6 c( |4 r+ l) y
之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的,而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别,EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制,而没有读取次数限制。
/ j& w* j+ {# k8 L6 [. }' W% A: c只是F-RAM访问寿命超强,约为10的10次方,也就是100亿次,如果电路设计合理,芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。+ F8 W3 n  J" k8 L
F-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途,而不能替代随时连续读写的工作内存,比如S-ram。
) q0 o! Y" C( T
, U! M  t1 Z+ X  I2.时序问题& ^: A2 V( C7 ^3 l2 _1 Z0 r
F-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序,由于内部锁存器的存在,使得读写时序有区别于S-RAM芯片
) b% O3 z; c8 X8 Q# y9 G图表:F-RAM和S-RAM操作时序区别
# {1 s, z9 N/ q" E, n# n* E% h; G' e+ t3 A3 v3 J

% g% V" M8 Q0 a: V5 CF-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作,不像S-RAM 芯片,/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。
1 p: \6 v) x* N( c7 m  e此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作,所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).. e# U8 z8 d- [6 T+ [) X* D

' }0 P' q0 R$ T7 Z' o3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题
& H8 b' z( e: Q; f0 cNV-ram芯片监控VDD的值,当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作,而F-RAM芯片没有此特性,只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时,应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。' {0 B% U; B% f; I( M3 {" r# N  A
另外在CPU Reset期间或系统上电期间,为防止产生意外的/CE信号低电平,进而意外改写数据,应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。
% X. B% x) P+ }% O, X! _" {1 Y( `, P9 w( D
以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项,当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别,这就得参考相应产品的数据表。

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发表于 2016-6-6 06:30:29 | 显示全部楼层
铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换; Z, n0 e9 Y% [4 p! W8 ]! J
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发表于 2017-2-5 09:44:11 | 显示全部楼层
尽管这样,淘宝上还是出现了一些用FRAM改造的卡带。 而且都声称存档正常。 这些卡带普遍使用了ramtron公司的存储芯片, 而根据我的调查, 这些芯片从sop , ssop,到dip封装都有。不仅有并行的还有串行的。具体的数据表我还没看,但是这是否可以说fram可以代替一般的sram(62256)了呢?
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发表于 2017-7-14 15:47:12 | 显示全部楼层
学习了,虽然看不懂呢 呵呵
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发表于 2020-4-9 20:10:54 来自手机 | 显示全部楼层
孙大师 发表于 2016-6-6 06:30* F6 h/ M5 P8 t- l. d1 x  _
铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换
* E- P9 ?& K5 d1 j
你好能请教您个改电视机的问题吗,现在我的东芝彩电改rgb图像暗颜色不对怎么办谢谢
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发表于 2022-9-15 10:01:10 | 显示全部楼层
完全看不懂,感谢分享。
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