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FRAM芯片的使用注意事项

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发表于 2016-6-5 23:40:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
什么是F-RAM?" F! i/ X5 |& m8 M! J7 v/ q
引用百度百科上的介绍:
) M; r- |" L6 b- z* o; f/ f" q0 }: v7 O9 l; L% [
简介  ~$ q% l, M$ _5 ^
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。
+ ]/ L* n5 J7 |
9 v/ J% V$ a" `; ]& j  B特点
2 @. j$ `  i( Z% {& W* \+ _FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。
6 f0 H: y0 |. e----------------------------
. ~. X; s' o4 o0 T9 O) p. t% J
% `, w' Z( D) LF-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片,很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意,
5 [% n* U" m( a1 N6 _4 w! p这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题:
7 u$ G- J: w- U" V' m5 U: @' b, E0 [) X' q
1.寿命
# z! J9 \! @! c  N. S' z: Z6 J* b% l6 c2 v* Z* L
由于铁电存储器的特性,导致读取数据时会破坏存储单元中的数据,所以FRAM芯片内置锁存器,读出数据时,数据先暂存在内部锁存器上,9 a8 w; c; u* c+ u' d; [' ~3 Y# w
之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的,而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别,EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制,而没有读取次数限制。+ |5 y; D: @- t* J% V
只是F-RAM访问寿命超强,约为10的10次方,也就是100亿次,如果电路设计合理,芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。* O8 ~, z# e% U1 ~+ a/ t7 f
F-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途,而不能替代随时连续读写的工作内存,比如S-ram。
; l9 _( D' k( O% K: P
- B* K& s; N% [6 a" I1 O: X7 H2.时序问题& U- E7 l0 K  Z3 K
F-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序,由于内部锁存器的存在,使得读写时序有区别于S-RAM芯片7 e8 v* g8 i* C! p* e0 U/ d8 ?$ h
图表:F-RAM和S-RAM操作时序区别
' L0 q6 H- O) M/ ~- M3 q
# H! H  a) f3 ~2 b3 ?+ r
! Q: s# r% W. E/ ~' C! q8 TF-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作,不像S-RAM 芯片,/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。% _7 g$ E9 |- t, v5 ^
此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作,所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).' e: i# v) H- V7 ?7 X( o

0 D7 c: y" W& _3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题
0 N, F! B0 e, H: o* [NV-ram芯片监控VDD的值,当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作,而F-RAM芯片没有此特性,只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时,应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。5 q3 R; O* O" ~' `
另外在CPU Reset期间或系统上电期间,为防止产生意外的/CE信号低电平,进而意外改写数据,应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。
5 l  y6 K( \$ u# n/ ~/ j2 g1 q( z( o9 x' ^
以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项,当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别,这就得参考相应产品的数据表。

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发表于 2016-6-6 06:30:29 | 显示全部楼层
铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换
! t0 g) g) w1 Y
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发表于 2017-2-5 09:44:11 | 显示全部楼层
尽管这样,淘宝上还是出现了一些用FRAM改造的卡带。 而且都声称存档正常。 这些卡带普遍使用了ramtron公司的存储芯片, 而根据我的调查, 这些芯片从sop , ssop,到dip封装都有。不仅有并行的还有串行的。具体的数据表我还没看,但是这是否可以说fram可以代替一般的sram(62256)了呢?
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发表于 2017-7-14 15:47:12 | 显示全部楼层
学习了,虽然看不懂呢 呵呵
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发表于 2020-4-9 20:10:54 来自手机 | 显示全部楼层
孙大师 发表于 2016-6-6 06:30# O" T3 c. `  X) q: ]9 r5 q
铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换
5 y3 I! G3 R. r' [: ]6 c
你好能请教您个改电视机的问题吗,现在我的东芝彩电改rgb图像暗颜色不对怎么办谢谢
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发表于 2022-9-15 10:01:10 | 显示全部楼层
完全看不懂,感谢分享。
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