电玩DIY [ VG DIY ] - Video Game Do It Yourself

 找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 2404|回复: 3

FRAM芯片的使用注意事项

[复制链接]
发表于 2016-6-5 23:40:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
什么是F-RAM?; F9 q# ~  J9 H. T5 A
引用百度百科上的介绍:
9 m+ W8 b: d0 T) ?
) c  a3 z! P+ _, [& a5 g简介
, }- Q6 |! _$ k/ o) z0 }* r0 J# GFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。7 d" j8 {2 C. n$ c5 d  ^* C
9 M$ w( _" ~; I9 T& P
特点
; S' u0 ?3 z' M2 kFRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。& _& S7 D( I  I$ r/ g; i
----------------------------+ e8 Z+ m0 \# O- z" |

7 q$ e1 n& W7 S' d1 ]; T+ nF-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片,很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意,
* H! f) N5 P6 ]: V# T& F! W! g这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题:
) h0 ]) t/ V! L; h, B: p4 }5 u6 L6 L
1.寿命+ I% O2 K" f) @" O

0 _0 x: Z3 \  v9 j由于铁电存储器的特性,导致读取数据时会破坏存储单元中的数据,所以FRAM芯片内置锁存器,读出数据时,数据先暂存在内部锁存器上,; _3 `# V/ o  _3 y+ F2 p
之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的,而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别,EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制,而没有读取次数限制。
$ _' {# p& ~/ n只是F-RAM访问寿命超强,约为10的10次方,也就是100亿次,如果电路设计合理,芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。
. q( P3 e8 I: y9 f+ r- w% }F-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途,而不能替代随时连续读写的工作内存,比如S-ram。: _. I3 Z6 Z1 M- H+ ]# s
1 U! y" p6 V6 {4 P, j
2.时序问题0 m- `  B3 N2 e  S# ~0 X
F-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序,由于内部锁存器的存在,使得读写时序有区别于S-RAM芯片
8 W4 g: X0 k3 \) v& b- i5 Y. \图表:F-RAM和S-RAM操作时序区别
0 {% I1 B8 d& b# k
, v* i( B, |  a$ l1 Z( }" k
0 d. k5 }- A0 p! K) }3 HF-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作,不像S-RAM 芯片,/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。3 s1 K/ f! s; X  v
此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作,所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).
* q. s! c! j0 u, |' Q8 D$ d% u& U! `
3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题
0 p- V% V& g* k& y  {NV-ram芯片监控VDD的值,当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作,而F-RAM芯片没有此特性,只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时,应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。
+ V# L8 k+ V9 u6 }+ ?, [- A另外在CPU Reset期间或系统上电期间,为防止产生意外的/CE信号低电平,进而意外改写数据,应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。2 _( U1 m" Q+ r: c* J

( \6 }' x3 I$ r- T. U: d以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项,当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别,这就得参考相应产品的数据表。

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x

评分

参与人数 1热血 +30 收起 理由
xunxun + 30

查看全部评分

回复

使用道具 举报

发表于 2016-6-6 06:30:29 | 显示全部楼层
铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换+ I" b# k( E9 J3 p" {- }" W5 G& d
回复

使用道具 举报

发表于 2017-2-5 09:44:11 | 显示全部楼层
尽管这样,淘宝上还是出现了一些用FRAM改造的卡带。 而且都声称存档正常。 这些卡带普遍使用了ramtron公司的存储芯片, 而根据我的调查, 这些芯片从sop , ssop,到dip封装都有。不仅有并行的还有串行的。具体的数据表我还没看,但是这是否可以说fram可以代替一般的sram(62256)了呢?
回复

使用道具 举报

发表于 2017-7-14 15:47:12 | 显示全部楼层
学习了,虽然看不懂呢 呵呵
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

Archiver|手机版|小黑屋|Video Game Do It Yourself ( 闽ICP备14000865号

GMT+8, 2019-5-24 13:58 , Processed in 0.472846 second(s), 21 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表