什么是F-RAM?) B% A9 @" S& @* \+ i
引用百度百科上的介绍：
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1 p& n4 ?( |' a% y: P简介
& {/ o5 p `$ S* {: E+ ]8 YFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。/ p) Z' v3 Q: }; B% b
# J0 D5 w G6 p' K$ y8 T; |特点
6 G8 S, } G+ R' {FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
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" a0 {- }8 ` A) \ f: v- WF-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片，很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意，
0 ]! n9 E5 j2 _" _' u这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题：" U+ N. R8 ^& S0 r) O% w
1 b9 v1 P3 `. D- P! z1.寿命
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0 ~! Y) s0 Z' a0 f5 G( {, m1 s) v由于铁电存储器的特性，导致读取数据时会破坏存储单元中的数据，所以FRAM芯片内置锁存器，读出数据时，数据先暂存在内部锁存器上，
' k+ {2 W' t0 F, R之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的，而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别，EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制，而没有读取次数限制。
: U3 r/ [- V; {2 O只是F-RAM访问寿命超强，约为10的10次方，也就是100亿次，如果电路设计合理，芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。9 T' S8 T- z2 X W4 z! g. y
F-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途，而不能替代随时连续读写的工作内存，比如S-ram。- B7 _5 |, d) N" A% C6 V4 k
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2.时序问题
0 ]* J& l) l, \6 b1 ]/ t1 L* lF-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序，由于内部锁存器的存在，使得读写时序有区别于S-RAM芯片/ d+ n# C+ x9 o. w* ~
图表：F-RAM和S-RAM操作时序区别
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F-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作，不像S-RAM 芯片，/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。
" U" P' C& r+ P; U此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作，所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).; C# P3 X7 n6 i$ E6 ?6 Q
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3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题( W, j. J' {& k8 J* C( h6 {
NV-ram芯片监控VDD的值，当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作，而F-RAM芯片没有此特性，只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时，应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。
- _7 J9 _$ X4 v# y: n# v! P) M另外在CPU Reset期间或系统上电期间，为防止产生意外的/CE信号低电平，进而意外改写数据，应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。' f! q0 j. _9 }+ j3 g
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以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项，当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别，这就得参考相应产品的数据表。 |
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发表于 2016-6-5 23:40:43
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