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FRAM芯片的使用注意事项

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发表于 2016-6-5 23:40:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
什么是F-RAM?
7 b  y; S. w. V* O引用百度百科上的介绍:
2 d( k. s2 `2 _" f' [3 l& }, j
; Y  v3 ~* T# F9 o* i7 |简介
# w7 S+ }$ X# s% N1 t' ?& o- tFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。' d; V7 g3 o; U. S- @

$ k/ O% O+ o! j特点
' \8 {! V' |" o: F/ U( P( VFRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。
' o* g0 s- G1 A9 D% k" ]# }----------------------------
; ?; F7 [* ]- ^- ~+ g) D0 K' D' O/ n  A# r8 J+ T
F-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片,很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意,
/ y' B/ |! `; {9 I4 {+ u这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题:
7 l3 z, e" l3 T$ L, u" B/ M7 P" k3 V. S: I+ v: J6 x& M9 o
1.寿命
6 ]  k) U: H" n3 x9 R. q9 ~+ g, a9 F& B3 `
由于铁电存储器的特性,导致读取数据时会破坏存储单元中的数据,所以FRAM芯片内置锁存器,读出数据时,数据先暂存在内部锁存器上,
- S: Y( I; o0 {" s之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的,而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别,EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制,而没有读取次数限制。
1 j3 B8 C* R, N只是F-RAM访问寿命超强,约为10的10次方,也就是100亿次,如果电路设计合理,芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。
9 u9 G8 l: i& t+ v1 T; z( `F-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途,而不能替代随时连续读写的工作内存,比如S-ram。
2 ~) \: @7 ]8 t! M8 J0 [9 E! h: _
2.时序问题
. Z2 X; v" C. l! y- V* S' m* GF-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序,由于内部锁存器的存在,使得读写时序有区别于S-RAM芯片
$ ?0 p% v+ O% w! X. A, Y! E8 g图表:F-RAM和S-RAM操作时序区别0 S8 s1 a) a4 Q/ R
0 x: e9 ~  T/ R! ~# G
" x- x3 w( T5 [
F-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作,不像S-RAM 芯片,/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。
0 f+ p+ n; a" H# c* j此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作,所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).& |' k9 a( K0 y3 q& ]0 h5 J

9 [2 ]% i0 Z0 w" ?3 Z. X- d3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题+ W# N! _" ?( K* S
NV-ram芯片监控VDD的值,当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作,而F-RAM芯片没有此特性,只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时,应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。' n2 n% k+ A! _8 L2 a) ^
另外在CPU Reset期间或系统上电期间,为防止产生意外的/CE信号低电平,进而意外改写数据,应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。1 c; J5 B* [- W; O

. j, N: k. W- M; n. h9 ^以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项,当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别,这就得参考相应产品的数据表。

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发表于 2016-6-6 06:30:29 | 显示全部楼层
铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换
. {8 v5 ~% u. \- X. f
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发表于 2017-2-5 09:44:11 | 显示全部楼层
尽管这样,淘宝上还是出现了一些用FRAM改造的卡带。 而且都声称存档正常。 这些卡带普遍使用了ramtron公司的存储芯片, 而根据我的调查, 这些芯片从sop , ssop,到dip封装都有。不仅有并行的还有串行的。具体的数据表我还没看,但是这是否可以说fram可以代替一般的sram(62256)了呢?
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发表于 2017-7-14 15:47:12 | 显示全部楼层
学习了,虽然看不懂呢 呵呵
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发表于 2020-4-9 20:10:54 来自手机 | 显示全部楼层
孙大师 发表于 2016-6-6 06:30
. R& c2 b1 T  X8 U: P0 H铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换

1 {  K, ~2 I1 [8 Y  @你好能请教您个改电视机的问题吗,现在我的东芝彩电改rgb图像暗颜色不对怎么办谢谢
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发表于 2022-9-15 10:01:10 | 显示全部楼层
完全看不懂,感谢分享。
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