开工做FC的烧录卡，希望前辈们给些资料。

pllyq52

买到了两张原装的游戏卡，一张是MMC3B的，一张是MMC1A的，还找出了一堆vcd的解码板，打算做两张烧录卡，希望得到各位前辈的支持。

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雷精灵2046

正版卡改烧录卡，首先要有烧录器。
* K4 c) G; i4 c2 h
看到你的VCD解码板上有Winbond的W27C010，这是1Mbit的EPROM芯片，可以用来烧录，但需要专门的烧录器。如果你打算使用这些EPROM芯片的话，去X宝买个EPROM烧录器，价格约30~150左右。
不过最好的方案还是使用Flash芯片+Kazzo烧录器。拆机Flash芯片非常便宜，X宝一片约2元。Kazzo烧录器完全开源，可以自己制作，也可以X宝买现成的，价格约75元。自己做的话不到40元。
, {, P7 x6 r: E; D3 Y9 `5 }5 ?
EPROM烧录需要在VPP引脚加+12V高电压才能烧录。所以如果使用了EPROM的话，想换游戏就得把芯片拆下来，放到烧录器上烧完再放到卡带上面去。你可以给卡带上装芯片插座，方便取下。
Flash芯片烧录不需要高电压，给出往特定的地址写特定的命令就能烧录。所以无需拆芯片，可以直接把芯片焊死在卡带板子上。而Kazzo烧录器也正是为了实现方便烧录而开发出来的。
  j& `; b1 ~1 _' s# S) M6 ~) {
) `& H" b8 T& @我个人建议你选择使用Flash+Kazzo。

雷精灵2046

买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
Kazzo对这个芯片的支持最好。
  t7 \1 |. \8 Z) `4 r其他芯片虽然也不是不能用，但是你可能会面临所谓“A10/A14”高位地址的问题，导致那些芯片未必能够用在你的烧录卡上，徒增浪费。所以还是使用被广大群众证实过好用的芯片为上策。
4 H) w6 s8 ?- KX宝上这个拆机芯片价格约2元/片，全新芯片约7~15元。一般来说没必要买全新芯片，因为这种Flash芯片写入寿命非常长，最少也有上万次甚至上十万次的寿命。而拆机芯片基本上不可能把这些寿命都用尽。所以使用拆机芯片是比较经济且靠谱的。
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$ e6 W% G$ Q- X6 C) H2 `买来flash芯片和kazzo烧录器之后我再继续教你怎么改成烧录卡。
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1 Q+ _: e: z/ L/ D. r6 X2 K. t( n
. ?$ a6 i0 I2 _9 c
题外话：从对游戏的兼容性上来说，你这两盘卡带并不好。那个MMC1的卡带，板子上写着SGROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+8KByte的CHR RAM。没有WRAM，没有后备电池，很多mapper1的游戏都不能玩。MMC3的卡带，TLROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+128K/256KByte的CHR ROM。同样没有WRAM和后备电池，能玩大部分mapper4的游戏，但还有很多mapper4的游戏需要CHR RAM或WRAM的，也不能玩。
5 C* W( ~$ |6 u  g. m( c当然，只要你愿意，而且胆大心细手艺高，完全也可以把缺少的元件加上，再配合一些逻辑电路，甚至可以做出几乎全兼容那个mapper的卡带。我自己手里的几盘卡带几乎都是“全兼容”。

pllyq52

雷精灵2046 发表于 2018-12-13 10:13
, m# v* e: W' Y/ W& d! W+ _买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
Kazzo对这个芯片的 ...

% b: L% q' T3 I8 m! _8 z谢谢指点，在某宝上搜了一下“kazzo烧录器”，什么也没现，怎么没见有卖呢？所以就把MMC1卡的PRG拆了下来，发现情况比想象要糟糕，板上的A17地址线是接在Vcc上的，那芯片在编程器（普通编程器不是kazzo），发现上64K和下64K的数据果然是一样的，看来只能玩的游戏就更少了，如何补齐逻辑电路还得麻烦您指点一下。
8 R+ K* B" c3 q9 n6 `! R+ d5 |

雷精灵2046

原来你有基础，手艺也不错，那就太好了，省了我很多事。

首先说一下关于kazzo烧录器。你可以在闲鱼上搜索“kazzo”，有一家保定的，75块钱。虽然是闲鱼，但实际上是店主自制的全新kazzo，非量产，并非二手货。可以放心购买。
然后解释一下你遇到的现象。你那个MMC1的卡带上的PRG ROM芯片丝印是HFC-RT-0，板子是HVC-SGROM-02，查数据库可以断定这是《サラダの国のトマト姫》（沙拉国的土豆公主）。
4 y) r0 ?* g4 i/ W注意，事实上这个游戏的PRG ROM是256K，而你只读了128K的内容，而且读出来的数据，前后64K都是相同的。造成这个问题的原因是，Mask ROM的引脚排列，并不遵守JEDEC标准。换句话说，这个Mask ROM并不能直接放到烧录器插座上读数据，而是需要飞线。

1.     PRG Mask ROM                          EPROM
   . [" ?# a2 j$ F$ @# n1 L
2.        ---_---                           ---_---
   
3. A17 - |01   32| - +5V             VPP - |01   32| - +5V
   " s/ ~, G: ^" q7 ?
4. /CE - |02   31| - +5V             A16 - |02   31| - PGM
   . K/ G! Y  R) S! y
5. A15 - |03   30| - +5V             A15 - |03   30| - NC
   
6. A12 - |04   29| - A14             A12 - |04   29| - A14
   
7. A7  - |05   28| - A13             A7  - |05   28| - A13
   % M0 _: K/ l8 }$ D" O
8. A6  - |06   27| - A8              A6  - |06   27| - A8
   " H4 b5 H: d' U& Q$ a% ^# U' d
9. A5  - |07   26| - A9              A5  - |07   26| - A9
   
10. A4  - |08   25| - A11             A4  - |08   25| - A11
    
11. A3  - |09   24| - A16             A3  - |09   24| - /OE
    2 s/ o& \9 p  b+ B( Q0 D: K
12. A2  - |10   23| - A10             A2  - |10   23| - A10
    , q- p/ c' @" k" v2 U' l1 H* K' R, p
13. A1  - |11   22| - /CE             A1  - |11   22| - /CE
    7 N7 @0 T) `5 B/ [  n8 q! ^
14. A0  - |12   21| - D7              A0  - |12   21| - D7
    
15. D0  - |13   20| - D6              D0  - |13   20| - D6
    / s# W+ V' b; J
16. D1  - |14   19| - D5              D1  - |14   19| - D5
    
17. D2  - |15   18| - D4              D2  - |15   18| - D4
    
18. GND - |16   17| - D3              GND - |16   17| - D3
    
19.        -------                           -------

复制代码

这是32脚的PRG Mask ROM和32脚的EPROM引脚对比图。相比之下，Mask ROM没有/OE引脚，而多出一个A17引脚，所以32脚的PRG Mask ROM容量为256K，而EPROM只有128K。
, l( t: v3 L& U0 T5 e6 e, {" ]( R这就解释了你读Mask ROM的结果。对于通用编程器来说，它不知道你插到锁紧座上的是Mask ROM，它只把这个芯片当成是符合JEDEC标准的EPROM来对待。于是在读的时候，编程器给1脚加了高电平，24脚低电平，30脚电平未知，暂且假设是高电平，31脚低电平。
' N) `% O: O  ~1 L, Q+ O9 W/ u. s) F! r+ |可见，Mask ROM的A16和A17都被定死了电平，所以你只能读出芯片容量（256K）的四分之一的数据，也就是64K。
% t/ O! G* V7 \# g# }5 H而当编程器把芯片当成EPROM读到高64K的时候，2脚高电平。但对于Mask ROM来说，2脚等效于22脚，而22脚是片选，始终是低电平。对于常见的单片机来说，低电平的灌电流能力比高电平的拉电流能力强，于是2脚被强制拉低，于是和读低64K的情况一样。所以读出的高64K和低64K数据相同。

雷精灵2046

如果你能理解上面我分析的原因，那么你就肯定知道该怎么办了。
6 [" R5 g$ _0 L+ w& k1 z
! Y2 y2 [# l& g9 w# l9 d既然你有通用编程器，那么不买kazzo也无妨。就是换游戏的时候有点费劲，得在板子上装插座，方便拆芯片。此外，你还得飞线。
你得买256K的EPROM，在编程器上烧好ROM，然后把1、2、24、30、31脚掰起来，不能插到板子的插座里面，然后芯片的1脚接+5V，2脚接板子的24孔洞，24脚接地，30脚接板子的1孔洞，31脚接地。
7 [6 n# r4 z, T4 N这样引脚就对正了。卡带就能正常运行了。
; G9 M  N6 s. m0 `+ }) H+ `
如果你买了kazzo，那么你就要买flash芯片。flash芯片可以在线编程，不需要拆下来。换游戏很方便。如果你愿意使用这种方法的话，那么我再教你如何给flash芯片飞线。

pllyq52

    谢谢指点，马上开工，首先当然是要找一片256K的EPROM，很遗憾，没找到，

. U; \+ Z6 j6 j! f128的倒有不少。还好在一块老电脑主板上找到一片AT49F002，百度一下，这应

该是一片256K的fiash，看看引脚定义和EPROM的也是相差无几，姑且试试，往

. M. D6 t% L' [% K. Y: k里面随便烧了一个mapper1的游戏，1脚复位（低电平有效）就接在Vcc吧（后来
' r2 m  v: y7 A- m8 a9 e
; Y9 V6 U, ?% s2 {发现接在GND也是可以的），2脚A16接在24孔，24脚接在GND，30脚A17接在1孔

，31脚应该是写入允许（低电平有效）就接在Vcc吧。上机一试，成功了，哈哈

，好像烧进去的是一个日文的RPG的游戏。

    小时候玩过《重装机兵》，感觉这种游戏很强大（因为游戏里面还有小游

$ k/ v. _/ l; M% c  g戏）没想到却只有256K，那个卡带里面是有电池的，但是现在电池应该装在那

% X1 q/ }/ V4 f1 E# q$ _# l呢？
! |6 n6 g% Y" W% O
* _+ M5 p& C% L1 S9 I% K
8 X4 c& r1 K% _! `* U在试换个游戏，没想到，开机一看却只有一行日文，然后按手柄也没任何反应。怪，这日文是啥意思，谁看得懂？
7 c: P; s' C; \6 ?5 k$ M

雷精灵2046

这句话的意思就是后备存档芯片很奇怪。
* t; t, {3 [) e/ ^1 t3 N很显然，你找了一个带存档功能的游戏烧进芯片里面了。但是板子上并没有WRAM和后备存档电池，所以游戏逻辑在检测存档的时候得到了错误的结果，于是显示出错误警告。
: [& y, O9 p9 }9 f- K如果你想玩这个游戏，那么就需要给板子上增加WRAM和后备电池。

雷精灵2046

由于你的板子是HVC-SGROM，配置是128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM，那么加上WRAM之后就变成了128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM + 8K WRAM + 后备电池这样的配置，也就是HVC-SNROM。
那么改造方案就很明确了。
9 H) t% ]: G+ W6 R! Y6 j* {6 l
' s) D, W0 {. r6 l, ]1 t# i首先准备如下元件：
8KByte的SRAM一片。推荐型号HM6264，或者KM6264，或者UMC6264，反正只要是6264就行。
* u- u5 F; [* ?* q  `普通开关二极管两个。推荐型号1N4148。
$ B1 H0 ?1 h! X: U0 j6 _# h普通碳膜或金属膜电阻两个。阻值10K~100K均可。
# C1 t1 h2 g5 u5 D  O2 d% ?普通电解电容一个。容量1uF以上即可。耐压超过10V即可。
3V电池一个。建议使用2032+纽扣电池座，或者使用微型3.7V锂电池。

改造方法如下：
8 L* i$ [5 J$ Q% T% f: {( P首先把SRAM的数据总线和地址总线，也就是D0~D7和A0~A12全部直接连接到PRG ROM的数据总线和地址总线上。一一对应。
0 W" M: H- G2 O6 u, [7 j1 f* NSRAM的GND连接到PRG ROM的GND。
SRAM的/WE连接到MMC1芯片的17脚。
SRAM的/OE接GND。
SRAM的/CS1连接到MMC1芯片的11脚。
SRAM的CS2连接到MMC1芯片的6脚。
& t4 p" U5 A0 ~  B8 y  f2 USRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接板子上的VCC。
同时，SRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接电阻，电阻接电池正极。
. B  h0 O0 g. T( D  ~. r, _( i电池负极接GND。
7 c7 T/ E* J( Y. k0 D电解电容正负极跨接SRAM的VCC和GND。
/ Y3 z3 u9 {/ H- q2 f9 ~& T, W最后一个电阻跨接SRAM的VCC和/CS1。
: Y' [# J. Z  ]1 y5 _* \
这是电路图：
) a+ Q% m- p* w/ `

1.                                           C            D1    R1
   
2.               6264               GND ----||--------+--|<|--[===]--+- 电池 -+- GND
   ) H  I" L1 e  _! Z3 S- b/ W
3.            .----_----.                             |
   
4.       NC - |01     28| - +5V ----------------------+--|<|---------- +5V
   
5.      A12 - |02     27| - /WE --- MMC1 17脚         |   D2
   9 Z7 L; f6 Q6 H0 X9 E: {
6.       A7 - |03     26| - CS2 --- MMC1 6脚          |
   
7.       A6 - |04     25| - A8                        -
   6 J7 i2 M2 @* \8 c0 ?8 T; t6 F
8.       A5 - |05     24| - A9                       | | R2
   
9.       A4 - |06     23| - A11                      | |
   
10.       A3 - |07     22| - /OE -- GND                |
    - u* z# M0 u+ D. z/ u
11.       A2 - |08     21| - A10                       |
    4 \- s- X6 ?% C  P2 J: J) C
12.       A1 - |09     20| - /CS1 ---------------------+------- MMC1 11脚
    ; r" `8 |4 u0 x9 [
13.       A0 - |10     19| - D7      
    ! i' G. G: z9 s- ]& L
14.       D0 - |11     18| - D6      
    . B; G. _# }1 c- K$ o' b
15.       D1 - |12     17| - D5      
    
16.       D2 - |13     16| - D4      
    * Q4 I) R5 V# U: R! l( V7 F2 @! x
17.      GND - |14     15| - D3      
    
18.            '---------'

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